通用型多參數(shù)變送器

1、問(wèn)題的提出

 作為第二次工業(yè)革命的標(biāo)志之一，現(xiàn)場(chǎng)傳感器采用模擬信號(hào)（如4～20mA）傳到中央控制室，由中央控制室處理完成后再以模擬信號(hào)形式傳到現(xiàn)場(chǎng)，形成由一次表、二次表和執(zhí)行機(jī)構(gòu)組成的集中控制結(jié)構(gòu)，就是DDZ結(jié)構(gòu)，DDZ結(jié)構(gòu)解決了工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的問(wèn)題，我國(guó)于1957年從前蘇聯(lián)引進(jìn)。

 八十年代后，由現(xiàn)場(chǎng)智能單元和網(wǎng)絡(luò)組成的網(wǎng)絡(luò)化、扁平化結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了“集中管理、分散控制"的工控理念。做為工業(yè)3.0的流量計(jì)量?jī)x表，要求是現(xiàn)場(chǎng)解決與計(jì)量有關(guān)的所有事項(xiàng)，包括數(shù)據(jù)采集、運(yùn)算、維護(hù)等，然后與網(wǎng)絡(luò)連接，稱之為數(shù)字化儀表，多參數(shù)變送器就是典型之一，實(shí)現(xiàn)了計(jì)量的數(shù)字化，并解決了DDZ結(jié)構(gòu)帶來(lái)的諸多問(wèn)題。

2、多參數(shù)變送器

2.1 特點(diǎn)一：浮動(dòng)硅電容芯片

 采用富士三代浮動(dòng)膜盒技術(shù)，如圖所示：被測(cè)差壓通過(guò)導(dǎo)壓管進(jìn)入變送器的高低壓保護(hù)室，保護(hù)室起到瞬間過(guò)壓保護(hù)作用，差壓信號(hào)通過(guò)毛細(xì)管進(jìn)入測(cè)量室再作用到測(cè)量膜片和浮動(dòng)膜片上，隨著外加差壓的變化，測(cè)量膜片產(chǎn)生與差壓成比例的微小位移。硅膜片的作用相當(dāng)于差動(dòng)電容中的活動(dòng)電極。在正常輸入差壓作用下，浮動(dòng)膜片基本上是不動(dòng)的，當(dāng)檢測(cè)部件一側(cè)承受單向過(guò)載壓力時(shí)，浮動(dòng)膜片產(chǎn)生位移，這樣就使用測(cè)量膜片的變形量減小。由于檢測(cè)部件的核心體是隨單向過(guò)載壓力浮動(dòng)的，因此，在承受單向壓力時(shí)隔離膜片與基座波紋間被擠出的充灌液被吸收，測(cè)量膜片不會(huì)緊貼到對(duì)面的球形固定電極上，而是隔離膜片緊貼在與其吻合的基座保護(hù)波紋上不再移動(dòng)。同時(shí)測(cè)量膜片和外殼沒(méi)有應(yīng)力的連接，使得變送器的長(zhǎng)期穩(wěn)定性得到大幅度提高。這就是富士公司單向保護(hù)、浮動(dòng)膜盒機(jī)構(gòu)。

2.2 特點(diǎn)二：優(yōu)異的技術(shù)指標(biāo)

 可工作在微微差壓：1～10Pa；長(zhǎng)期穩(wěn)定性：差壓長(zhǎng)漂0.1%/10年；

 超寬測(cè)量范圍：差壓1200：1；流量30：1以上；

2.3 特點(diǎn)三：

 可測(cè)量多個(gè)參數(shù)（差壓、壓力、溫度、環(huán)境溫度），在變送器內(nèi)依據(jù)GB/T 2624直接運(yùn)算，同時(shí)數(shù)字通訊多個(gè)參數(shù)。

 允許雙向計(jì)量、協(xié)議計(jì)量、蒸汽品質(zhì)甄別、干度補(bǔ)償、流出系數(shù)多段補(bǔ)償?shù)葘I(yè)功能；

2.4 用途：可應(yīng)用于幾乎所有差壓式流量計(jì)，如孔板、噴嘴、V錐、彎管、巴類流量計(jì)等。

2.5 技術(shù)參數(shù)

3、型譜

通用型多參數(shù)變送器

 應(yīng)用在各類差壓式測(cè)量裝置上，孔板、噴嘴、平衡、巴、錐等；溫壓補(bǔ)償（蒸汽、煤氣、水、氣體、油）、雙向累積、Hart通信。

 解決的問(wèn)題：

1、配套一體化測(cè)量裝置，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)計(jì)量的數(shù)字化

2、測(cè)量范圍：流量測(cè)量范圍達(dá)到30:1----傳統(tǒng)模擬結(jié)構(gòu)10:1。

3、維護(hù)量：一個(gè)芯片完成多個(gè)儀表工作，維護(hù)量降低90%。

4、校準(zhǔn)：除傳感器外，其它環(huán)節(jié)無(wú)AD轉(zhuǎn)換，無(wú)校準(zhǔn)工作量

5、零點(diǎn)漂移：浮動(dòng)硅電容變送器漂移0.1/10年，無(wú)沒(méi)有爭(zhēng)端

6、貿(mào)易結(jié)算模型：有上下限替代、蒸汽品質(zhì)甄別、干度補(bǔ)償?shù)人惴?/span>